Показано с 1 по 24 из 24

Тема: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

  1. #1
    Завсегдатай
    Регистрация
    06.03.2019
    Сообщений
    2,999

    По умолчанию Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Есть идея реализации обвязки мощных микросхем 2030(50), 3886, 7294 или 7293 мощными транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Если у кого-то будет время и желание, попробуйте такие варианты обвязки мощных микросхем.

    Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	Схема УНЧ на мощных микросхемах в качестве усилителя напряжения..jpg 
Просмотров:	6 
Размер:	74.3 Кб 
ID:	6135 Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	Схема УНЧ на мощных микросхемах в качестве усилителя напряжения 2.jpg 
Просмотров:	6 
Размер:	92.0 Кб 
ID:	6136



    Если есть уже готовая плата УНЧ на 3886, 7294 или 7293 на радиатор надо будет добавить только выходные мощные транзисторы, к которым подключить выход микросхемы и цепи ООС с платы.

    Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	IMG_20230322_205203.jpg 
Просмотров:	4 
Размер:	124.5 Кб 
ID:	6138

    В этом варианте очень просто управлять током покоя выходных транзисторов (изменяя R7,9) и переводить УНЧ из режима А в АВ, если в этом есть необходимость, подключая с помощью реле к R7,9 дополнительные мощные резисторы, например сопротивлением 470-220 Ом.


    Я ожидаю от такого варианта резкого снижения искажений по сравнению с типовым включением мощных микросхем на низкоомной нагрузке или при включении таких УНЧ мостом .

    При включении усилителей мостом, по моим прикидкам, можно будет получить 300-500Вт на 8 Ом и порядка 600-1000 Вт на 4 Ом при искажениях не выше 0,01% на 1 кГц и питании +-30-50В.

    Преимущество подобного мощного усилителя по сравнению с аналогами в том, что мощная микросхема работает всегда в режиме А, поскольку она нагружена на относительно высокое сопротивление параллельного усилителя и за счет своего высокого усиления без ООС будет четко давить гармоники выходных транзисторов до уровня искажений порядка 0,003-0,01% вплоть до ограничения выходного сигнала по напряжению.

    Еще более высокую мощность ( примерно до 1500- 2000 Вт при мостовом включении) можно получить, если обвязку и питание микросхем сделать с плавающим питанием по второй схеме Агеева с вольт добавкой примерно так.

    Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	Схема Агеева с пониженными искажениями.jpg 
Просмотров:	6 
Размер:	127.7 Кб 
ID:	6137


    Тут мощная микросхема включена в режим повторителя с дополнительной микросхемой, подавляющей микро искажения основной, мощной микросхемы. Нужно использовать в таком варианте мощные ОУ или усилители, устойчиво работающие в режиме повторителя. Или нужно будет предусмотреть цепи коррекции по ВЧ при глубокой, но не 100% ООС.

    В подобных вариантах нужно сделать более мощные стабилизаторы питания микросхемы и, возможно будет лучше управлять потенциалом земли не сразу с выхода УНЧ, а через отдельный повторить на мощных транзисторах, подключенных в выходу усилителя.

    Можно будет сравнить потом звук таких вариантов обвязки мощных микросхем со звучанием популярных усилителей, например УНЧ, Худа или 2003, работающих в классе А.

    Сам тоже попробую собрать такой усилитель - чуть позже.

    Если есть соображения по этим схемам или заметили ошибки, пишите. Обсудим.
    Последний раз редактировалось Владимир R-V-A; 27.06.2023 в 16:03.

  2. #2
    Завсегдатай
    Регистрация
    06.03.2019
    Сообщений
    2,999

    По умолчанию Re: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Цитата Сообщение от Владимир R-V-A Посмотреть сообщение
    Если есть соображения по этим схемам или заметили ошибки, пишите. Обсудим.
    А в ответ тишина...



    Да, это не доисторическая схема Худа - как альтернатива теплому ламповому звуку...

    Последний раз редактировалось Владимир R-V-A; 28.06.2023 в 16:57.

  3. #3
    Завсегдатай
    Регистрация
    20.01.2021
    Сообщений
    318

    По умолчанию Re: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Цитата Сообщение от Владимир R-V-A Посмотреть сообщение
    Если есть соображения по этим схемам или заметили ошибки, пишите.
    Вместо резисторов я поставил бы генераторы тока. В схеме с несколькими параллельными выходными транзисторами не будет пропорционального увеличения мощности. Вообще включать транзисторы в параллель надо очень осторожно. А главное, я не вижу смысла в этой затее. Получите потрясающие результаты, поделитесь!

  4. #4
    Завсегдатай
    Регистрация
    06.03.2019
    Сообщений
    2,999

    По умолчанию Re: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Цитата Сообщение от Карабас Посмотреть сообщение
    Вообще включать транзисторы в параллель надо очень осторожно.
    С балластными резисторами решается проблема точного подбора транзисторов по току. Затея простая - получать маленькие искажения на несогласованной нагрузке или на нагрузке с низким сопротивлением (в смостовом включении УНЧ). Думаю на днях взяться за эту тему.
    Последний раз редактировалось Владимир R-V-A; 01.07.2023 в 23:16.

  5. #5
    Завсегдатай
    Регистрация
    20.01.2021
    Сообщений
    318

    По умолчанию Re: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Цитата Сообщение от Владимир R-V-A Посмотреть сообщение
    С балластными резисторами решается проблема точного подбора транзисторов по току
    Какой ток на выходе рассчитываете получить в схеме с четырьмя параллельными транзисторами?

  6. #6
    Завсегдатай
    Регистрация
    06.03.2019
    Сообщений
    2,999

    По умолчанию Re: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Цитата Сообщение от Карабас Посмотреть сообщение
    Какой ток на выходе рассчитываете получить в схеме с четырьмя параллельными транзисторами?
    Тут все зависит от транзисторов, их режима (А или АВ), температуры переходов и напряжения питания. Уже подобрал из старых запасов 818(9) в металле по 100 Вт 80-х годов выпуска - это сейчас самые лучшие из тех что есть. Попробую на них (на одной паре) выжать те же 100 Вт, что и у микросхемы, но с меньшими искажениями. Есть и другой вариант - по 4 Шт. 818(19) как на схеме, но в пластмассовом корпусе с токоограничительными резисторами по 0,3 Ом. Тут можно будет выжать под 125 Вт или 500 мостом (есть две пары таких транзисторных сборок) на 4 Ом или почти в два раза больше на 2 Ом. Но реально будет меньше - есть транс 460 Вт и напряжение на выпрямителе будет порядка +-36 В, которое под нагрузкой, на 4 Ом нагрузке, может просесть до +-32 В.

    Посмортим...

    Завтра хочу сделать генератор мендров - тест сигналов сложной фромы и посмотреть, работает ли мой осц.
    Последний раз редактировалось Владимир R-V-A; 02.07.2023 в 23:28.

  7. #7
    Завсегдатай
    Регистрация
    06.03.2019
    Сообщений
    2,999

    По умолчанию Re: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Цитата Сообщение от Владимир R-V-A Посмотреть сообщение
    Если у кого-то будет время и желание, попробуйте такие варианты обвязки мощных микросхем.
    Во второй схеме надо поставить на землю резистор (22-47к) на + первой микросхемы. Это может быть переменный резистор на входе схемы, на который входной сигнал лучше подать через разделительный конденсатор 2,2 - 10 мкФ.

  8. #8
    Завсегдатай
    Регистрация
    20.01.2021
    Сообщений
    318

    По умолчанию Re: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Цитата Сообщение от Владимир R-V-A Посмотреть сообщение
    Тут все зависит от транзисторов, их режима (А или АВ)
    Посчитайте хорошенько Ik=IB*h21э.​Ток задается резистором.

  9. #9
    Завсегдатай
    Регистрация
    06.03.2019
    Сообщений
    2,999

    По умолчанию Re: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Сделал часть генератора сложных по форме тест-сигналов для проверки работы УНЧ. Использовал покупной, кварцованный генератор импульсов, который выдает меандр 100 000 Гц и короткие импульсы с частотой 10 и 1 кГц.

    Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	IMG_20230703_220411.jpg 
Просмотров:	10 
Размер:	127.1 Кб 
ID:	6149

    И приколхозил к нему еще две микросхемы - счетчики к155ие7, которые выдают меандры с частотами в 2, 4, 8,16, 32, 64 раза меньше 100 000 Гц.

    Откалибровал древний оциллограф. Картинки, конечно, получаются микроскопические, но зато работает до 10 мГц.

    Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	IMG_20230703_214852.jpg 
Просмотров:	15 
Размер:	57.7 Кб 
ID:	6150 Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	IMG_20230703_215732.jpg 
Просмотров:	14 
Размер:	62.8 Кб 
ID:	6151

    Надо будет кварц другой найти, чтобы можно было генерить имульсы с частотой с единиц мГц.
    Последний раз редактировалось Владимир R-V-A; 03.07.2023 в 22:23.

  10. #10
    Завсегдатай
    Регистрация
    06.03.2019
    Сообщений
    2,999

    По умолчанию Re: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Есть выбросы до 5-7%, но я не думаю, что их не смогу победить так просто - смерюсь...)))
    Последний раз редактировалось Владимир R-V-A; 04.07.2023 в 01:26.

  11. #11
    Завсегдатай
    Регистрация
    06.03.2019
    Сообщений
    2,999

    По умолчанию Re: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Цитата Сообщение от Карабас Посмотреть сообщение
    Посчитайте хорошенько Ik=IB*h21э.​Ток задается резистором.
    Тут есть еще зависимость от свойств п-р переходов входных транзистров параллельного усилителя и наличия резистора в эмиттерах выходных транзисторов. Это я исследовал еще лет 25 назад по 818-816-814.

    Тема мне понятная.
    Последний раз редактировалось Владимир R-V-A; 04.07.2023 в 02:58.

  12. #12
    Завсегдатай
    Регистрация
    20.01.2021
    Сообщений
    318

    По умолчанию Re: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Цитата Сообщение от Владимир R-V-A Посмотреть сообщение
    Тут есть еще зависимость от свойств п-р переходов входных транзисторов параллельного усилителя
    На мой взгляд тема параллельного усилителя давно исчерпана. Она бесперспективна.

  13. #13
    Завсегдатай
    Регистрация
    06.03.2019
    Сообщений
    2,999

    По умолчанию Re: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Надо проверить.

    Сделал сегодня еще вариант генератора на кварце с частотой 4 мГц. так


    Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	IMG_20230704_210103.jpg 
Просмотров:	7 
Размер:	97.8 Кб 
ID:	6161


    , что можно будет смотреть более менее нормальные меандры с 2 мГц и переключать кварцы с конденсаторами в генераторе 0,1 / 4 мГц.

    Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	IMG_20230704_190214.jpg 
Просмотров:	14 
Размер:	68.0 Кб 
ID:	6155 Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	IMG_20230703_214852.jpg 
Просмотров:	4 
Размер:	57.7 Кб 
ID:	6156 Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	IMG_20230704_190251.jpg 
Просмотров:	14 
Размер:	103.6 Кб 
ID:	6157

    На 4 В получается задержка переднего форонта порядка 0,1 мкс. А на одну мкс будет порядка 40 В крутизна фронта на этом осциллографе и на генераторе мандра на 155 серии.

    На 4 и 2 мГц получаются такие импульсы.

    Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	IMG_20230704_195833.jpg 
Просмотров:	16 
Размер:	101.5 Кб 
ID:	6158 Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	IMG_20230704_200041.jpg 
Просмотров:	17 
Размер:	94.3 Кб 
ID:	6159 или так Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	IMG_20230704_200608.jpg 
Просмотров:	18 
Размер:	103.1 Кб 
ID:	6160

    Думаю, завал фронтов в TDA-шках будет уже видно. Про D класс - уже и не говорю...
    Последний раз редактировалось Владимир R-V-A; 04.07.2023 в 21:03.

  14. #14
    Завсегдатай
    Регистрация
    20.01.2021
    Сообщений
    318

    По умолчанию Re: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Цитата Сообщение от Владимир R-V-A Посмотреть сообщение
    На 4 В получается задержка переднего фронта порядка 0,1 мкс.
    .Если это 555 серия там должно быть порядка 10-15 нсек. Затягивает уже осциллоскоп.

  15. #15
    Завсегдатай
    Регистрация
    06.03.2019
    Сообщений
    2,999

    По умолчанию Re: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Да, дело было не в бобине... но других "писателей и микросхем, сделанных в СССР" у меня для вас нет...

    Чтобы делать высокоточные измерения по фронтам УНЧ, желательно иметь осциллограф с полосой не менее 100 мГц. И лучше не случайных производителей, а проверенных временем производителей подобной техники, например, фирмы HP.
    Последний раз редактировалось Владимир R-V-A; 04.07.2023 в 21:17.

  16. #16
    Завсегдатай
    Регистрация
    06.03.2019
    Сообщений
    2,999

    По умолчанию Re: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Нашел на старой плате КР531ла3, попробую её в качестве выходного буфера. Задержки 5/4,5н. Это уже будет круто.

    https://kiloom.ru/spravochnik-radiod.../kr531la3.html

    Останется самая малость - найти осциллограф с полосой до 100-200 мГц!

    Интересно, на ОМЛТ-3М будет ли заметна разница на фронтах сигналов по отношению к к155ла3. Завтра посмотрю.
    Последний раз редактировалось Владимир R-V-A; 07.07.2023 в 20:58.

  17. #17
    Завсегдатай
    Регистрация
    20.01.2021
    Сообщений
    318

    По умолчанию Re: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Цитата Сообщение от Владимир R-V-A Посмотреть сообщение
    Задержки 5/4,5н. Это уже будет круто.
    Во-во протестируете параллельный усилитель.

  18. #18
    Завсегдатай
    Регистрация
    06.03.2019
    Сообщений
    2,999

    По умолчанию Re: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Цитата Сообщение от Карабас Посмотреть сообщение
    Во-во протестируете параллельный усилитель.
    Измеритель тоже решил сделать по другому. Генератор и модулятор сделаю примерно по такой схеме, только модулятор сделаю чуть сложнее с помощью делителей частоты и на выходах высокоскоростные буферы.

    Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	генератор сигнала.jpg 
Просмотров:	6 
Размер:	123.5 Кб 
ID:	6164

    Потом в тот же корпус сделаю модулятор аналоговых (любых) сигналов на к561ип2.

  19. #19
    Завсегдатай
    Регистрация
    06.03.2019
    Сообщений
    2,999

    По умолчанию Re: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Цитата Сообщение от Карабас Посмотреть сообщение
    Во-во протестируете параллельный усилитель.
    Может сталкивались с таким вопросом. Есть ли смысл на ипульсный сигнал с фронтами, условно говоря, в 155 - 24 нс ставить вместо одного выходного буфера, с задержками фронтов порядка 5 нс, два или три инвертора или повторителя, чтобы до максимума выжать крутизну фронтов буфера. Или это все - "ловля блох"?
    Вопрос Константину и всем другим тоже.
    Последний раз редактировалось Владимир R-V-A; 08.07.2023 в 20:11.

  20. #20
    Завсегдатай
    Регистрация
    20.01.2021
    Сообщений
    318

    По умолчанию Re: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Цитата Сообщение от Владимир R-V-A Посмотреть сообщение
    два или три инвертора или повторителя
    Выход, рассчитанный на бОльший ток никогда не помешает. Но как это правильно сделать - большой вопрос. Все зависит от емкости предполагаемой нагрузки.

  21. #21
    Завсегдатай
    Регистрация
    06.03.2019
    Сообщений
    2,999

    По умолчанию Re: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Вопрос в другом их включают не параллельно, а последовательно - фронт станет короче на двух- трех повторителях или инверторах, по сравнению с одним?
    Последний раз редактировалось Владимир R-V-A; 08.07.2023 в 22:33.

  22. #22
    Завсегдатай
    Регистрация
    20.01.2021
    Сообщений
    318

    По умолчанию Re: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Последовательное включение нескольких инверторов не даст выигрыша в крутизне фронтов. Если хотите сделать круто, ищите быстродействующие буферы. Первое, что приходит в голову 155 (530) ЛА6. В серии 74HCT, кажется есть быстродействующие буфера по приемлемой цене.

  23. #23
    Завсегдатай
    Регистрация
    06.03.2019
    Сообщений
    2,999

    По умолчанию Re: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Сделал корпус для прибора. Он достаточно большой. Cкорей всего туда вмонтирую несколько устройств. Там отдельные узлы будут использоваться по двойному назначению. С времен работы в НИИ не терплю, когда на столе гора разных приборов с кучей проводов. Желательно, чтобы все приборчики, которых нет в компьютере, были в одном, максимум в двух устройствах.
    Последний раз редактировалось Владимир R-V-A; 09.07.2023 в 22:23.

  24. #24
    Завсегдатай
    Регистрация
    06.03.2019
    Сообщений
    2,999

    По умолчанию Re: Есть идея реализации обвязки мощных микросхем транзисторами по схеме параллельного усилителя.

    Нафигачил в корпус по периметру отверстий с запасом.

    Нажмите на изображение для увеличения. 

Название:	IMG_20230710_212639.jpg 
Просмотров:	8 
Размер:	74.8 Кб 
ID:	6165

    Потом покраска и сборка...

Ваши права

  • Вы не можете создавать новые темы
  • Вы не можете отвечать в темах
  • Вы не можете прикреплять вложения
  • Вы не можете редактировать свои сообщения
  •